富士通FRAM技术和做事原理

存储设备(主要指存储数据的半导体产品)清淡分为两栽类型。一栽是“易失性存储器”——数据在断电时消亡,如DRAM。另一栽类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会消亡,这意味着数据一旦被写入,只要不进走擦除或重写,数据就不会转折。FRAM是一栽与Flash相通的非易失性存储器。 富士通FRAM技术和做事原理 FRAM是行使铁电原料(PZT等)的铁电性和铁电效答来进走非易失性数据存储又能够像RAM相通操作。 ·当一个电场被添到铁电晶体时,中央离子顺着电场的倾向在晶体里移动,当离子移动时,它议决一个能量壁垒,从而引首电荷击穿。内部电路感答到电荷击穿并竖立记忆体。 ·移往电场后中央离子保持不动,记忆体的状态也得以保存。 ·原料自己的迟滞特性的两个安详点代外0或1的极化值。 

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 FRAM的特点 稀奇性能收获技术“硬核”,FRAM是存储界的实力派。除非易失性以外,FRAM还具备三大主要上风:高读写入耐久性、高速写入以及矮功耗,78电影网这是绝大无数同类型存储器无法比拟的。 

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 其中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时,FRAM写入数据可在150ns内完善、速度约为EEPROM的1/30,000,写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM的1/400,在电池供电行使中具有无与伦比的上风。 

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 富士通FRAM倚赖高读写耐久性、高速写入和超矮功耗的稀奇特质,近年来在Kbit和Mbit级幼周围数据存储周围最先风生水首,在各栽行使周围一再“露脸”并大有斩获,这就是铁电存储器FRAM。富士通代理英尚微电子可为客户挑供产品有关技术声援。


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